中关村在线消息，美光宣布其HBM3 Gen2内存已经处于生产阶段，具体来说，美光HBM3 Gen2内存具有 1.2 TB/s 的聚合带宽和最高容量的 8 高堆栈 24GB的容量（为业界首款），与其他8高HBM3内存相比，容量增加了50%，工艺方面采用了1β (1-beta) 制造工艺制造，每瓦性能提高了2.5倍。
据相关人士透露，美光的HBM3 Gen2内存目前受到了谷歌、微软、AWS等云服务厂商的密切关注，以用来加速上述厂商的AI创新，并应用于类似chatGPT等应用上HBM（高带宽内存）是一款新型的CPU/GPU 内存芯片，其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。HBM3是去年推出的最新标准，其单芯片接口宽度可达1024bit，有望广泛应用于AI、图形、网络等HPC应用之中。目前，包括SK海力士、三星和美光在内的存储巨头正在纷纷加码HBM。
本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：后来者居上？美光推出8高堆栈24GB HBM3 Gen2内存https://stor.zol.com.cn/826/8268268.html
