英飞凌称碳化硅、氮化镓功率元件成本将在5年内逐步降低

8月9日，据Digitimes科技网报道，半导体厂商英飞凌大中华区电源与感测系统事业部协理陈志星日前表示，该公司的SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)等新材料产品已经走入量产，未来这类功率芯片的制造从主流的6英寸厂转移到8英寸晶圆厂生产。

陈志星指出，SiC、GaN 相关宽能隙(WBG)功率元件价格已经出现很大的降幅，但成本仍是打开市场的关键。碳化硅、氮化镓两类芯片的价格差距不大，但是这这两种产品与单纯的Si硅产品之间成本差距确实存在，目前成本还比较高昂。

英飞凌预测，未来在生产规模、产能投资、良率控制等方面的共同推进下，SiC、GaN功率元件的成本有望有效下降，预计3~5年后有机会把成本降到跟硅基元件相仿的程度，后段制程技术也持续推进。

英飞凌此前率先使用12英寸晶圆工厂生产硅基功率元件，近年来GaN氮化镓芯片随着手机、电脑充电器的发展，得到越来越广的应用，相关制造技术也在快速推进中。由于SiC碳化硅功率元件已经问世20多年，英飞凌表示，这类芯片以往使用2、4 英寸晶圆工厂生产，现在则转向主流的6英寸，未来走向使用8英寸厂生产是非常正常的。

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