上周，三星电子宣布推出全新的8nm射频芯片制程工艺，该技术基于一种全新的架构，8nm射频专用架构，名为RFextremeFET (RFeFET)，可以显着改善射频特性，同时使用更少的功率。
与此前的14nm制程工艺相比，全新的8nmRFeFET架构补充了数字PPA缩放，同时提升模拟/RF性能，从而打造出更高性能的5G平台。此外，新的8nm射频芯片可提高35%的能效并减少35%的射频芯片面积。
据外媒报道，三星电子计划将这一先进的工艺用于支持多通道和多天线芯片设计芯片的5G通信从而将三星在Sub-6GHz到毫米波的领先优势继续扩大，进而抢占5G射频芯片的代工市场。
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