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    三星将推第八代V-NAND闪存 512GB仅0.8mm

      [  中关村在线 原创  ]   作者:十一

    中关村在线消息,近期三星在技术论坛上对外公布了第八代V-NAND的细节,堆栈层数超过200层,容量可达1Tbit,512GB容量的厚度也只有0.8mm,可用于手机。目前三星使用的第七代V-NAND V7堆栈层数176层,TLC版核心容量512G,而即将推出的V-NAND V8层数有望提高到228层,存储密度也有望提高40%。

    三星将推第八代V-NAND闪存 512GB仅0.8mm

    此外,V-NAND V8闪存的单颗核心容量也从之前的512G翻倍到了1T,同时性能也更强,I/O接口速率从2Gbps提升到了2.4Gbps,性能更适配最新的PCIe 5.0标准,由于存储容量更大. V-NAND V8闪存的厚度依然可以控制在合理水平,封装512GB容量也不超过0.8mm,可以用于新一代智能手机。

    根据三星的工艺路线图,未来的V-NAND闪存堆栈层数还会进一步提升,最终达到500层的水平,不过有传言说三星会想办法用其他技术手段实现多达1000层的堆叠层数。

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