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    专注快数据读写 Western Digital新品嵌入式闪存盘带来3点惊喜

      [  中关村在线 原创  ]   作者:陈杨

          伴随着物联网时代到来,移动设备逐渐成为人们工作生活互联的中心。5G技术、4K视频、AR、VR等新兴应用的发展也在持续改变着智能手机、平板电脑和笔记本电脑的用途、用户的期望和技术需求。

      由此,Western Digital推出96层3D NAND嵌入式闪存盘 iNAND MC EU321,希望通过此产品满足AI、AR、多摄像头高分辨率摄影、4K视频采集以及其他面向高端手机及计算设备的高要求应用。

    专注快数据读写 Western Digital新品嵌入式闪存盘带来3点惊喜

    物联网对智能手机存储提出挑战

      毫无疑问,5G、AI、AR及VR等技术的兴起,给用户带来全新的娱乐体验的同时,更带给企业生产力的革新,并引领着人类社会走向万物互联。

      另一方面,物联网时代带来的是井喷般的数据量,据调查,全世界90%的数据均在近几年中产生,数据增长速度基本可实现每两年翻一番,预计到2020年全球数据量将达到44ZB。

      而这ZB级别的海量数据,多由百亿台终端设备产生,凭借着移动便捷、功耗、强大的网络连接及计算性能等优势,智能手机逐渐发展为物联网终端设备的核心,如借助5G技术,用户可在短短几秒内下载电影观看;通过APP,对摄像头、空调、电视等家居产品远程控制;工业领域,查看控制生产进度。

      同时,广泛的娱乐与互联应用对智能手机的存储容量提出巨大挑战,如微信APP,伴随着用户的使用,其容量从500MB扩充到几个GB甚至是十几GB;随着智能手机摄像头的增多和像素的增加,单张照片所占存储也在增加。

      无论是本身的APP应用还是远程的互联应用,智能手机对数据的调用一定是实时响应的,即快数据,举个例子,如果家中摄像头监控到有人敲门,而远程手机端迟迟得不到响应,自然降低互联体验。

      而以上,也是Western Digital新发布的iNAND MC EU321嵌入式闪存盘所要解决的问题。

    专注快数据读写 Western Digital新品嵌入式闪存盘带来3点惊喜
    iNAND MC EU321嵌入式闪存盘

    iNAND MC EU321 3大特性 专注快数据读写

      iNAND MC EU321为Western Digital iNAND嵌入式闪存盘系列新生军,该系列十多年来广泛用于智能手机和平板产品,新发布的iNAND MC EU321采用96层3D NAND颗粒,基于iNAND SmartSLC 5.1架构和UFS 2.1接口技术,提供256GB的存储容量,主要具备3大特点:96层3D嵌入式技术、更优异的性能及用户体验。

      2017年夏天,西部数据对外宣布成功研发96层3D NAND技术,但也仅仅是技术,并没有实际用于产品,iNAND MC EU321的上代产品8521便是最大的证明,该产品采用64层3D NAND技术。而此次发布的iNAND MC EU321则成功用上96层 3D NAND技术,据Western Digital描述,iNAND MC EU321也是业界首款将96层3D NAND技术用于智能手机的商用闪存产品。

      在性能方面,据Western Digital描述,得益于96层3D NAND技术和SmartSLC 5.1架构,新发布的iNAND MC EU321相比上代产品提高10%,连续写入性能达550MB/s。

      通常,在智能手机存储即将饱和时,智能手机的写入速度会变慢,导致性能下降,据悉,通常智能手机存储容量达到80%-90%性能便会下降,而采用iNAND MC EU321的设备,存储容量在接近98%的时候,写入性能才会降低,且降低10%-20%的范围。

      而iNAND MC EU321这一优势的秘诀便是其独特的SmartSLC 5.1架构,iNAND MC EU321在内部结构上由SLC缓冲区和TLC存储块两部分组成,据Western Digital方面透露,iNAND MC EU321的SLC缓冲区存在动态调节机制,且该缓冲区容量越大,性能越好,但该缓冲区存在极限容量值。

    专注快数据读写 Western Digital新品嵌入式闪存盘带来3点惊喜

      iNAND MC EU321在进行存储操作时,数据先顺序写入SLC缓冲区,随后写入到SLC缓冲区的数据再转到TLC存储块中,还未写入的数据则在SLC缓冲区排队等待,依次类推,直到数据完全写入。

      此外,iNAND MC EU321能保证智能手机在存储容量达到98%不掉速的另一原因便是TLC存储块,TLC存储块在数据传输过程中的闲置时间,可自行清理TLC碎片,并释放存储块,以保证智能手机的性能。

      当前,因QLC闪存颗粒能提供更大的存储容量并具备成本优势,几大存储厂商不断发力基于该闪存颗粒的产品,并希望将其广泛用于数据中心和PC设备中,在谈到iNAND MC EU321为何不采用SLC缓冲区+QLC存储块组合,Western Digital明确表示考虑到QLC的性能和耐久性和智能手机的特性,暂时不会考虑SLC缓冲区+QLC存储块组合的嵌入式闪存盘。

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