近日，三星电子正式宣布开始批量生产第五代3D V-NAND闪存，该芯片采用96层堆叠设计，相比上一代产品，第五代性能V-NAND性能更高，功耗更低，V-NAND另一大亮点则是首次使用Toggle DDR 4.0接口。
三星V-NAND（图片源自samsung）
全新V-NAND相比64层NAND在性能上有所增加，数据传输速度可达到1.4Gbps，写入延迟仅为500微秒，相比上代提升30％，读取信号响应时间缩短到50微秒，性能的提升主要源于主要工作电压从1.8V降至1.2V。
第五代V-NAND芯片结构与前代相似，成金字塔状堆叠，中间留有微小孔用作通道，尺度仅为几百微米，内部存储单元集成数超850亿个，每个单元存储数据达到3比特。
三星表示第五代V-NAND将广泛应用于移动设施和企业服务器，并持续扩大全新V-NAND的产能。
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