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    中国引领存储新纪元?写入速度秒杀U盘

      [  中关村在线 原创  ]   作者:鲁畅

      从打孔卡、圆筒唱片到后来的软盘、硬盘、闪存,存储上下六十年历史,从来没有太多的中国色彩。而4月10日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队发表在《自然·纳米技术》上的文章《用于准非易失应用的范德瓦尔斯结构半浮栅存储》很可能改变这个局面。

      说到存储无非是易失性存储与非易失性存储,前一种速度快,但是掉电后数据立即消失,后一种,在写入数据后无需额外能量可保存信息10年,比如人们常用的U盘。而这个准非易失存储与众不同的关键在于采用不同材料,使电子易进难出。

    中国引领存储新纪元?写入速度秒杀U盘

      据报道,复旦大学选择了二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪、氮化硼等多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管,制成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结。对“写入速度”与“非易失性”的调控,就在于这两部分的比例。张卫、周鹏团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,可以实现写入速度比目前U盘快1万倍,也有人称其为“第三类存储技术 ”。但作为实验室产品,未来是不是能走向市场,这还需要我们继续期待。

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