NAND闪存已经出现25年了,它的出现改变了整个固态存储行业,自从1987年第一块NAND闪存面世以来,NAND闪存市场占有率增长迅速。NAND闪存已经成为高密度硅存储的首选,各种存储卡和USB存储器都使用的是NAND闪存,无论是在消费存储还是在工业和企业云应用中,都可以看到NAND闪存的身影,NAND闪存已经真正的渗透到每个人的生活中,改变着世界,改变着人们的生活、娱乐方式。
在NAND闪存25年之时,我们来回顾一下这些年有关NAND闪存发生的大事。
1987:东芝推出NAND闪存
1987年,东芝在IEEE大会上推出第一款NAND闪存,是由Fujio Masuoka 博士在1980年在在东芝工作发明的,因为其擦除存储器内容过程中跟闪光灯很像因此命名为NAND闪存。
1988:英特尔第一商业化的NOR闪存
Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。