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容量爆增!英特尔联手美光推25纳米NAND


CBSi中国·ZOL 【投稿】 2010年02月02日 09:37 评论

  新闻亮点

  英特尔和美光领跑半导体行业,全球首推25纳米制程技术。

  全新25纳米闪存可增加便携式音乐/媒体播放器、智能手机固态硬盘的存储容量,提供更高成本效益。

  25纳米制程让单个NAND设备具有8GB存储容量,为消费电子产品带来大容量存储解决方案。

  2010年2月1日,美国加州圣克拉拉,爱达荷州博伊西--英特尔公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首个25纳米NAND技术--该技术能够增加智能手机、个人音乐与媒体播放器(PMP)等流行消费电子产品,以及全新高性能固态硬盘(SSD)的存储容量,提供更高的成本效益。

  NAND闪存可用于存储消费电子产品中的数据和其它媒体内容,即使在电源关闭时也能保留信息。NAND制程尺寸的缩小,推动了该技术持续发展并不断出现新的用途。25纳米制程不仅是当前尺寸最小的NAND技术,也是全球最精密的半导体技术--这项技术成就将使当今的消费电子产品和计算设备能存储更多音乐、视频和其它类型数据。


容量爆增!英特尔联手美光推25纳米NAND

  该技术由英特尔和美光共同组建的NAND闪存合资企业IM Flash Technologies(简称IMFT)生产,单个25纳米制程NAND设备的存储容量达到8GB,为当前小巧的消费电子产品提供大容量存储解决方案。其尺寸仅有167平方毫米--小到足以穿过光盘中间的孔,却能存储比光盘多10倍的数据(一张标准光盘可存储700MB数据)。

  通过对NAND研发的专注和投资,英特尔和美光大约每18个月将NAND的密度提升一倍,从而带来尺寸更小、成本效益更高、容量更大的产品。IMFT从2006年就开始采用50纳米制程技术生产,紧接着在2008年推出34纳米制程技术。凭借今天公布的25纳米制程技术,英特尔和美光合作推出了业内最小的半导体光刻技术,从而进一步加强了在制程和制造领域的领先地位。

  英特尔公司副总裁兼NAND解决方案事业部总经理Tom Rampone表示:“通过持续投资于IMFT,我们不断推出领先的技术和制造工艺,开发出成本效益最高、最可靠的NAND存储产品,这将加快固态硬盘解决方案在计算设备中的广泛应用。”

  美光存储事业部副总裁Brian Shirley表示:“英特尔和美光凭借最先进的制程技术引领整个半导体行业发展,创造了技术上的奇迹。我们希望进一步挑战半导体尺寸上的极限。该技术可通过更高密度的媒体解决方案,为我们的客户带来巨大的效益。”

  采用25纳米技术的8GB设备现已推出样品,预计将在2010年第二季度批量生产。针对消费电子产品制造商,该设备提供了密度最大、每个单元可存储2比特数据的多层式(MLC)芯片,并且支持符合行业标准的薄型小尺寸封装(TSOP),可将多个8GB设备封装在一起,从而提高存储容量。与上一代制程相比,全新25纳米8GB设备可将封装的芯片数量减少一半,不仅实现了尺寸更小、密度更高的设计,还提高了成本效益。例如,组成一个256GB的固态硬盘(SSD)只需32个25纳米NAND芯片(之前则需要64个这样的芯片),一个32GB的智能手机只需要4个这样的芯片,而16GB的闪存卡只需要2个。

 

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